JAN2N5582

Microsemi(美高森美) 分立器件

TO-46 NPN 50V 0.8A

Bipolar BJT Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-46-3

JAN2N5582中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-46-3

外形尺寸

封装 TO-46-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JAN2N5582引脚图与封装图

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JAN2N5582	Microsemi 美高森美	TO-46 NPN 50V 0.8A	搜索库存

替代型号JAN2N5582

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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