IRLML2402TRPBF、MMBF0201NLT1G、IRLML2402PBF对比区别

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型号 IRLML2402TRPBF MMBF0201NLT1G IRLML2402PBF

描述 N 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。ON SEMICONDUCTOR  MMBF0201NLT1G.  场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-23, SMD, 20VINFINEON  IRLML2402PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.2 A, 20 V, 250 mohm, 4.5 V, 700 mV

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

额定电压(DC) - 20.0 V -

额定电流 - 300 mA -

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.25 Ω 0.75 Ω 0.25 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 540 mW 225 mW 540 mW

阈值电压 700 mV 1.7 V 700 mV

输入电容 - 45.0 pF -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 - 62 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 1.2A 300 mA 1.2A

上升时间 9.5 ns 2.5 ns 9.5 ns

输入电容(Ciss) 110pF @15V(Vds) 45pF @5V(Vds) 110pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 540 mW 225 mW -

下降时间 4.8 ns 0.8 ns 4.8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 540mW (Ta) 225mW (Ta) 540 mW

额定功率 0.54 W - -

长度 3.04 mm 2.9 mm -

宽度 1.4 mm 1.3 mm -

高度 1.02 mm 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -