KST5401MTF、MMBT5401LT1G、MMBT5401LT3G对比区别

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型号 KST5401MTF MMBT5401LT1G MMBT5401LT3G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KST5401MTF  单晶体管 双极, PNP, -150 V, 300 MHz, 350 mW, -500 mA, 50 hFEON SEMICONDUCTOR  MMBT5401LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -150 V, 300 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFEON SEMICONDUCTOR  MMBT5401LT3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, AEC-Q101, PNP, -150 V, 300 MHz, 225 mW, -500 mA, 50 hFE 新

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 300 MHz 300 MHz 300 MHz

额定电压(DC) -150 V -150 V -150 V

额定电流 -500 mA -500 mA -500 mA

针脚数 3 3 3

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 350 mW 225 mW 225 mW

增益频宽积 300 MHz - 300 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V 150 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 60 @50mA, 5V 60 @10mA, 5V 60 @10mA, 5V

额定功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 50 100 50

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW

最大电流放大倍数(hFE) 240 - -

长度 2.9 mm 2.9 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.97 mm 0.94 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99