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KST5401MTF

KST5401MTF

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
KST5401MTF中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC -150 V

额定电流 -500 mA

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 350 mW

增益频宽积 300 MHz

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 60 @50mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 240

额定功率Max 350 mW

直流电流增益hFE 50

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.97 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

KST5401MTF引脚图与封装图
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在线购买KST5401MTF
型号 制造商 描述 购买
KST5401MTF Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KST5401MTF  单晶体管 双极, PNP, -150 V, 300 MHz, 350 mW, -500 mA, 50 hFE 搜索库存
替代型号KST5401MTF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: KST5401MTF

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 PNP -150V -500mA 0.35W

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KST5401MTF  单晶体管 双极, PNP, -150 V, 300 MHz, 350 mW, -500 mA, 50 hFE

当前型号

型号: MMBT5401LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -150V -500mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBT5401LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -150 V, 300 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE

KST5401MTF和MMBT5401LT1G的区别

型号: MMBT5401-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-23 150V 200mA 300mW

功能相似

MMBT5401-7-F 编带

KST5401MTF和MMBT5401-7-F的区别

型号: MMBT5401-TP

品牌: 美微科

封装: SOT-23 PNP -150V -600mA 300mW

功能相似

MICRO COMMERCIAL COMPONENTS  MMBT5401-TP  双极性晶体管, PNP, 150VDC, SOT-23

KST5401MTF和MMBT5401-TP的区别