TLC271AIDR、TLV272IDR、TLV272IP对比区别

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型号 TLC271AIDR TLV272IDR TLV272IP

描述 路LinCMOS可编程低功耗TIONAL放大器 LinCMOS PROGRAMMABLE LOW-POWER TIONAL AMPLIFIERSBiMOS/BiCMOS 运算放大器，TLV/LMV 系列### 运算放大器，Texas InstrumentsBiMOS/BiCMOS 运算放大器，TLV/LMV 系列

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 DIP-8

电源电压(DC) - - 16.0 V

输出电流 ≤30 mA 7mA @5V 7mA @5V

供电电流 950 μA 625 µA 625 µA

电路数 1 2 2

通道数 1 2 2

针脚数 - 8 8

耗散功率 725 mW 0.396 W 0.625 W

共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 1.70 MHz 3 MHz 3 MHz

转换速率 3.60 V/μs 2.10 V/μs 2.10 V/μs

增益频宽积 2.2 MHz 3 MHz 3 MHz

过温保护 - No No

输入补偿电压 900 μV 500 µV 500 µV

输入偏置电流 0.7 pA 1 pA 1 pA

输入电压(Max) - - 16 V

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 3 MHz 3 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 396 mW 625 mW

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压(Max) 16 V - 16 V

电源电压(Min) 4 V - -

长度 4.9 mm 4.9 mm 9.81 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 6.35 mm

高度 1.58 mm 1.5 mm 4.57 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 DIP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15