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TLC271AIDR

TLC271AIDR

TI(德州仪器) 主动器件

路LinCMOS可编程低功耗TIONAL放大器 LinCMOS PROGRAMMABLE LOW-POWER TIONAL AMPLIFIERS

通用 放大器 1 电路 - 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLC271AIDR


德州仪器TI:
Single, 16-V, 2-MHz, 5-mV offset voltage, In to V- operational amplifier


贸泽:
Operational Amplifiers - Op Amps Programmable Lo-Pwr Op Amp


艾睿:
Easily produce a large amount of gain in your electronic circuit by using this general purpose amplifier TLC271AIDR from Texas Instruments in a cascaded fashion. Its maximum power dissipation is 725 mW. This op amp has a temperature range of -40 °C to 85 °C. This device uses a single power supply. This device utilizes linCMOS technology. It has a single channel per chip.


安富利:
OP Amp Single GP 16V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Single Low Power Amplifier 16V 8-Pin SOIC T/R


力源芯城:
可编程,低功耗运放


Win Source:
IC OPAMP GP 2.2MHZ 8SOIC


TLC271AIDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤30 mA

供电电流 950 μA

电路数 1

通道数 1

耗散功率 725 mW

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K

带宽 1.70 MHz

转换速率 3.60 V/μs

增益频宽积 2.2 MHz

输入补偿电压 900 μV

输入偏置电流 0.7 pA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 725 mW

共模抑制比Min 65 dB

电源电压Max 16 V

电源电压Min 4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TLC271AIDR引脚图与封装图
TLC271AIDR引脚图

TLC271AIDR引脚图

TLC271AIDR封装图

TLC271AIDR封装图

TLC271AIDR封装焊盘图

TLC271AIDR封装焊盘图

在线购买TLC271AIDR
型号 制造商 描述 购买
TLC271AIDR TI 德州仪器 路LinCMOS可编程低功耗TIONAL放大器 LinCMOS PROGRAMMABLE LOW-POWER TIONAL AMPLIFIERS 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TLC271AIDR

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC 320kHz 1Channel 8Pin

当前型号

路LinCMOS可编程低功耗TIONAL放大器 LinCMOS PROGRAMMABLE LOW-POWER TIONAL AMPLIFIERS

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型号: TLC272AID

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