MRF7S21170HSR3、MRF8HP21130HSR3、MRF8S18120HR3对比区别

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型号 MRF7S21170HSR3 MRF8HP21130HSR3 MRF8S18120HR3

描述 Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 50W Avg., 28VW-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 28W Avg., 28VGSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1805-1880MHz, 72W CW, 28V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 5 3

封装 NI-880S NI-780S-4 NI-780H-2L

频率 2.17 GHz 2.17 GHz 1.81 GHz

额定电流 10 µA - 10 µA

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free

输出功率 50 W 28 W 72 W

增益 16 dB 14 dB 18.2 dB

测试电流 1.4 A 360 mA 800 mA

工作温度(Max) 225 ℃ 150 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

额定电压 65 V 65 V 65 V

耗散功率 - 118000 mW -

耗散功率(Max) - 118000 mW -

额定电压(DC) 28.0 V - -

漏源极电压(Vds) 65 V - -

封装 NI-880S NI-780S-4 NI-780H-2L

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99