MRF8S18120HR3
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
主动器件
MRF8S18120HR3中文资料参数规格
技术参数
频率 1.81 GHz
额定电流 10 µA
无卤素状态 Halogen Free
输出功率 72 W
增益 18.2 dB
测试电流 800 mA
工作温度Max 225 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 65 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 NI-780H-2L
外形尺寸
封装 NI-780H-2L
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MRF8S18120HR3引脚图与封装图
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在线购买MRF8S18120HR3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MRF8S18120HR3 | NXP 恩智浦 | GSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1805-1880MHz, 72W CW, 28V | 搜索库存 |
替代型号MRF8S18120HR3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MRF8S18120HR3 品牌： NXP 恩智浦 封装： NI-780 | 当前型号 | GSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1805-1880MHz, 72W CW, 28V | 当前型号 |
| 型号： MRF6S19100HR3 品牌： 恩智浦 封装： NI-780 28V 900mA | 类似代替 | 2 x N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1930-1990MHz, 22W Avg., 28V | MRF8S18120HR3和MRF6S19100HR3的区别 |
| 型号： AFT18S290-13SR3 品牌： 恩智浦 封装： NI-880XS-2L4S | 功能相似 | RF Power Transistor,1805 to 1995MHz, 263W, Typ Gain in dB is 18.2 @ 1960MHz, 28V, LDMOS, SOT1801 | MRF8S18120HR3和AFT18S290-13SR3的区别 |
| 型号： MRF6S18060NR1 品牌： 恩智浦 封装： TO-270AB 26V | 功能相似 | Trans RF MOSFET N-CH 68V 5Pin TO-270W T/R | MRF8S18120HR3和MRF6S18060NR1的区别 |