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BSO080P03NS3EG、BSO080P03NS3G、BSO080P03SHXUMA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO080P03NS3EG BSO080P03NS3G BSO080P03SHXUMA1

描述 OptiMOSTM3 P3功率三极管 OptiMOSTM3 P3-Power-TransistorOptiMOSTM3 P3功率三极管 OptiMOSTM3 P3-Power-TransistorINFINEON  BSO080P03SHXUMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -12.6 A, -30 V, 0.0067 ohm, -10 V, -1.5 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 8

封装 PG-DSO-8 PG-DSO-8 SOIC-8

额定功率 - - 1.79 W

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 0.0067 Ω

极性 - - P-Channel

耗散功率 - - 1.79 W

漏源极电压(Vds) - - 30 V

连续漏极电流(Ids) - - 12.6A

上升时间 - - 22 ns

输入电容(Ciss) - - 4430pF @25V(Vds)

下降时间 - - 110 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 2500 mW

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.65 mm

封装 PG-DSO-8 PG-DSO-8 SOIC-8

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17