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BSO080P03NS3EG

BSO080P03NS3EG

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
BSO080P03NS3EG中文资料参数规格
封装参数

封装 PG-DSO-8

外形尺寸

封装 PG-DSO-8

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSO080P03NS3EG引脚图与封装图
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在线购买BSO080P03NS3EG
型号 制造商 描述 购买
BSO080P03NS3EG Infineon 英飞凌 OptiMOSTM3 P3功率三极管 OptiMOSTM3 P3-Power-Transistor 搜索库存
替代型号BSO080P03NS3EG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSO080P03NS3EG

品牌: Infineon 英飞凌

封装: PG-DSO-8

当前型号

OptiMOSTM3 P3功率三极管 OptiMOSTM3 P3-Power-Transistor

当前型号

型号: BSO080P03SHXUMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL P-Channel 30V 12.6A

功能相似

INFINEON  BSO080P03SHXUMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -12.6 A, -30 V, 0.0067 ohm, -10 V, -1.5 V

BSO080P03NS3EG和BSO080P03SHXUMA1的区别

型号: BSO080P03SH

品牌: 英飞凌

封装: DSO P-Channel

功能相似

Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

BSO080P03NS3EG和BSO080P03SH的区别

型号: BSO080P03NS3G

品牌: 英飞凌

封装: PG-DSO-8

功能相似

OptiMOSTM3 P3功率三极管 OptiMOSTM3 P3-Power-Transistor

BSO080P03NS3EG和BSO080P03NS3G的区别