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ULQ2003AD、ULQ2003ADR2G、ULQ2003ADG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ULQ2003AD ULQ2003ADR2G ULQ2003ADG4

描述 TEXAS INSTRUMENTS  ULQ2003AD  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOICNPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管高电压,大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

无卤素状态 - Halogen Free -

输出接口数 7 7 7

针脚数 16 16 -

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) - 1000 -

输出电流(Max) 500 mA 500 mA 500 mA

直流电流增益(hFE) 1000 1000 1000

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

驱动器/包 7 - 7

输出电压 50 V - -

输出电流 0.5 A - -

通道数 7 - -

输入电压 30 V - -

长度 9.9 mm 10 mm 9.9 mm

宽度 3.91 mm 4 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 1.75 mm 1.58 mm

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99