FQD2N100TF
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD2N100TF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 900 V
额定电流 1.60 A
通道数 1
漏源极电阻 7.1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1000 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 1.60 A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 520pF @25VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQD2N100TF引脚图与封装图
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在线购买FQD2N100TF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD2N100TF | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 1kV 1.6A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FQD2N100TF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD2N100TF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 1kV 1.6A 7.1ohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 1kV 1.6A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： FQD2N100TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 1kV 1.6mA 7.1ohms | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N100TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 1 kV, 7.1 ohm, 10 V, 5 V | FQD2N100TF和FQD2N100TM的区别 |
| 型号： FQD2N100 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 1000V N沟道MOSFET 1000V N-Channel MOSFET | FQD2N100TF和FQD2N100的区别 |