MMBT6521LT1、MMBT6521LT1G对比区别

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型号 MMBT6521LT1 MMBT6521LT1G

描述 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistor NPN SiliconON SEMICONDUCTOR  MMBT6521LT1G  晶体管, 双极性, NPN, 25V V(BR)CEO, 100M

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V

额定电流 100 mA 100 mA

针脚数 - 3

极性 - NPN

耗散功率 - 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V

集电极最大允许电流 - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 300 @2mA, 10V 300 @2mA, 10V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) - 300

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW

长度 - 2.9 mm

宽度 - 1.3 mm

高度 - 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - EAR99