MMBT6521LT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 100 mA
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 300 @2mA, 10V
额定功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MMBT6521LT1引脚图与封装图
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在线购买MMBT6521LT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT6521LT1 | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistor NPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号MMBT6521LT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT6521LT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 25V 100mA | 当前型号 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistor NPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： MMBT6521LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 25V 100mA 0.3W | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MMBT6521LT1G 晶体管, 双极性, NPN, 25V VBRCEO, 100M | MMBT6521LT1和MMBT6521LT1G的区别 |