LM358DR、LMV358AM8X、LM358DR2G对比区别
型号 LM358DR LMV358AM8X LM358DR2G
描述 TEXAS INSTRUMENTS LM358DR 运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.4 V/µs, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚FAIRCHILD SEMICONDUCTOR LMV358AM8X 运算放大器, 双路, 1.4 MHz, 2个放大器, 1.5 V/µs, 2.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚ON SEMICONDUCTOR LM358DR2G. 运算放大器
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作电压 - - 3V ~ 32V
无卤素状态 - - Halogen Free
输出电流 30mA @15V - 40 mA
供电电流 1 mA 100 µA 1.5 mA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
针脚数 8 8 8
共模抑制比 65 dB 50 dB 70 dB
带宽 700 kHz 1.4 MHz 1 MHz
转换速率 300 mV/μs 1.50 V/μs 600 mV/μs
增益频宽积 700 kHz 1.4 MHz 1 MHz
输入补偿电压 3 mV 1 mV 2 mV
输入偏置电流 20 nA 1 nA 45 nA
工作温度(Max) 70 ℃ 125 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃
增益带宽 0.7 MHz 1.4 MHz 1 MHz
共模抑制比(Min) 65 dB 50 dB 65 dB
电源电压 - 2.5V ~ 5.5V 3V ~ 32V
电源电压(Max) - 5.5 V 32 V
电源电压(Min) - 2.7 V 3 V
输入电压 - - 0V ~ 28.3V
输入补偿漂移 7.00 µV/K - -
长度 4.9 mm 4.98 mm 5 mm
宽度 3.91 mm 3.99 mm 4 mm
高度 1.58 mm 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2018/06/27 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99