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2N3055AG、JANTX2N3055、2N3771对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3055AG JANTX2N3055 2N3771

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N3055AG.  双极晶体管NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR高功率NPN硅晶体管 HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 3 2

封装 TO-204-2 TO-204 TO-3

频率 6 MHz - 0.2 MHz

额定电压(DC) 60.0 V - 40.0 V

额定电流 15.0 A - 30.0 A

针脚数 2 - -

极性 NPN - NPN

耗散功率 115 W 6 W 150 W

增益频宽积 6 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 70 V 40 V

热阻 1.52℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 15A - -

最小电流放大倍数(hFE) 10 @4A, 2V 20 @4A, 4V 15 @15A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) 70 - 60

额定功率(Max) 115 W 6 W 150 W

直流电流增益(hFE) 70 - 60

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 115000 mW 6000 mW 150000 mW

额定功率 - - 150 W

长度 39.37 mm - 39.5 mm

宽度 26.67 mm - 26.2 mm

高度 8.51 mm - 8.7 mm

封装 TO-204-2 TO-204 TO-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tray Tray Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -