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JANTX2N3055

JANTX2N3055

数据手册.pdf

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

The three terminals of this NPN GP BJT from give it the ability to be used as either an electronic switch or amplifier. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 6000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 70 V and a maximum emitter base voltage of 7 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C.

JANTX2N3055中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 6 W

击穿电压集电极-发射极 70 V

最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V

额定功率Max 6 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 6000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-204

外形尺寸

封装 TO-204

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

JANTX2N3055引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JANTX2N3055 Microsemi 美高森美 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR 搜索库存
替代型号JANTX2N3055
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JANTX2N3055

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-3 6000mW

当前型号

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

当前型号

型号： 2N3055G

品牌： 安森美

封装： TO-3 NPN 60V 15A 115000mW

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JANTX2N3055和2N3055G的区别

型号： 2N3055AG

品牌： 安森美

封装： TO-3 NPN 60V 15A 115000mW

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ON SEMICONDUCTOR  2N3055AG.  双极晶体管

JANTX2N3055和2N3055AG的区别

型号： 2N3055

品牌： Taitron

封装：

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Power Bipolar Transistor,

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