STD3NK50ZT4、STP6NK70Z、FQD4N50TM对比区别

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型号 STD3NK50ZT4 STP6NK70Z FQD4N50TM

描述 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道700V - 1.5ohm - 5A TO- 220 / TO- 220FP齐纳保护超网MOSFET N-CHANNEL 700V - 1.5ohm - 5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFETN沟道 500V 2.6A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3

额定电压(DC) 500 V 700 V 500 V

额定电流 2.30 A 5.00 A 2.60 A

通道数 - - 1

漏源极电阻 2.80 Ω - 2.7 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 45 W 110W (Tc) 2.5 W

漏源极电压(Vds) 500 V 700 V 500 V

漏源击穿电压 500 V - 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.30 A 5.00 A 3.00 A

上升时间 13 ns - 45 ns

输入电容(Ciss) 280pF @25V(Vds) 930pF @25V(Vds) 460pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 45 W - 2.5 W

下降时间 14 ns - 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

耗散功率(Max) 45W (Tc) 110W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc)

输入电容 280 pF - -

长度 6.6 mm - 6.73 mm

宽度 6.2 mm - 6.22 mm

高度 2.4 mm - 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99