STP6NK70Z中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 700 V
额定电流 5.00 A
极性 N-CH
耗散功率 110W Tc
漏源极电压Vds 700 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
输入电容Ciss 930pF @25VVds
耗散功率Max 110W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STP6NK70Z引脚图与封装图
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在线购买STP6NK70Z
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STP6NK70Z | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道700V - 1.5ohm - 5A TO- 220 / TO- 220FP齐纳保护超网MOSFET N-CHANNEL 700V - 1.5ohm - 5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STP6NK70Z
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STP6NK70Z 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220 N-CH 700V 5A | 当前型号 | N沟道700V - 1.5ohm - 5A TO- 220 / TO- 220FP齐纳保护超网MOSFET N-CHANNEL 700V - 1.5ohm - 5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP9NK70Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 700V 4A 1.2Ω | 类似代替 | STMICROELECTRONICS STP9NK70Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 700 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V | STP6NK70Z和STP9NK70Z的区别 |
| 型号： STP7NK80Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 800V 5.2A 1.8Ω | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | STP6NK70Z和STP7NK80Z的区别 |
| 型号： STD3NK50ZT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 500V 2.3A 2.8Ω | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | STP6NK70Z和STD3NK50ZT4的区别 |