FQD4N50TM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD4N50TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 2.60 A
通道数 1
漏源极电阻 2.7 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 460pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 45W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQD4N50TM引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQD4N50TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD4N50TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 250V 3A 2.7ohms | 当前型号 | N沟道 500V 2.6A | 当前型号 |
| 型号： FQD4N50TF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 250V 3A 2.7ohms | 类似代替 | N沟道 500V 2.6A | FQD4N50TM和FQD4N50TF的区别 |
| 型号： STD4NK50ZT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 500V 3A 2.4Ω | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD4NK50ZT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 500 V, 2.3 ohm, 10 V, 3.75 V | FQD4N50TM和STD4NK50ZT4的区别 |
| 型号： STD3NK50ZT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 500V 2.3A 2.8Ω | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQD4N50TM和STD3NK50ZT4的区别 |