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KST5401MTF、MMBT5401-TP、MMBT5401LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KST5401MTF MMBT5401-TP MMBT5401LT1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KST5401MTF  单晶体管 双极, PNP, -150 V, 300 MHz, 350 mW, -500 mA, 50 hFEMICRO COMMERCIAL COMPONENTS  MMBT5401-TP  双极性晶体管, PNP, 150VDC, SOT-23ON SEMICONDUCTOR  MMBT5401LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -150 V, 300 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Micro Commercial Components (美微科) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 300 MHz 100 MHz 300 MHz

额定电压(DC) -150 V -150 V -150 V

额定电流 -500 mA -600 mA -500 mA

针脚数 3 3 3

极性 PNP PNP PNP, P-Channel

耗散功率 350 mW 300 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V 150 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.6A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 60 @50mA, 5V 100 @10mA, 5V 60 @10mA, 5V

额定功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 50 50 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW

增益频宽积 300 MHz - -

最大电流放大倍数(hFE) 240 - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.9 mm - 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.97 mm - 0.94 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - EAR99