IRLR8256PBF、IRLR8256TRPBF对比区别
描述 N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 25 V, 0.0042 ohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 63 W 63 W
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.0042 Ω 0.0042 Ω
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 63 W 63 W
阈值电压 1.8 V 1.8 V
漏源极电压(Vds) 25 V 25 V
连续漏极电流(Ids) 81A 81A
上升时间 46 ns 46 ns
输入电容(Ciss) 1470pF @13V(Vds) 1470pF @13V(Vds)
额定功率(Max) 63 W 63 W
下降时间 8.5 ns 8.5 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 63W (Tc) 63W (Tc)
产品系列 - -
封装 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.73 mm -
宽度 6.22 mm -
高度 2.39 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -