IRLR8256TRPBF
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Infineon
英飞凌
分立器件
IRLR8256TRPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 63 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0042 Ω
极性 N-CH
耗散功率 63 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 81A
上升时间 46 ns
输入电容Ciss 1470pF @13VVds
额定功率Max 63 W
下降时间 8.5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 63W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
IRLR8256TRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRLR8256TRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRLR8256TRPBF | Infineon 英飞凌 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 25 V, 0.0042 ohm, 10 V, 1.8 V | 搜索库存 |
替代型号IRLR8256TRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRLR8256TRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 25V 81A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 25 V, 0.0042 ohm, 10 V, 1.8 V | 当前型号 |
| 型号： IRLR8256PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 25V 81A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 | IRLR8256TRPBF和IRLR8256PBF的区别 |
| 型号： IRLR8256 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package | IRLR8256TRPBF和IRLR8256的区别 |