IRLR8256PBF

N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

N 通道功率 MOSFET，12V 至 25V，

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

得捷:
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK

欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8256PBF, 81 A, Vds=25 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 V, 25 A, 0.0042 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 81A 3-Pin2+Tab DPAK Tube

安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 81A 3-Pin2+Tab DPAK

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 81A; 63W; DPAK

Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 81A 3-Pin2+Tab DPAK Tube

Newark:
# INFINEON  IRLR8256PBF  MOSFET Transistor, N Channel, 25 A, 25 V, 0.0042 ohm, 10 V, 1.8 V

儒卓力:
**N-CH 25V 81A 5,7mOhm TO252 **

Win Source:
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK