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TL431BCDM、TL431BCDR2G、TL431BIDE4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL431BCDM TL431BCDR2G TL431BIDE4

描述 精密可编程参考 PRECISION PROGRAMMABLE REFERENCESON Semiconductor### 电压参考,ON SemiconductorTEXAS INSTRUMENTS  TL431BIDE4  电压基准, 精密, 分流 - 可调, TL431系列, 2.495V至36V, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 36.0V (max) -

容差 ±0.4 % ±0.4 % ±0.5 %

无卤素状态 - Halogen Free -

输出电压 2.5V ~ 36V 2.495V ~ 36V 2.495V ~ 36V

输出电流 100 mA 100 mA 100 mA

通道数 1 1 1

针脚数 - 8 8

耗散功率 - 0.7 W -

输入电压(Max) - 37 V 37 V

输出电压(Max) 36 V 36 V 36 V

输出电压(Min) 2.5 V 2.495 V 2.495 V

输出电流(Max) - 100 mA 100 mA

工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃

精度 - ±0.4 % 0.5 %

输入电压 - 37 V 37 V

输入电压(DC) - - 2.50V ~ 36.0V

输入电压(Min) - - 2.495 V

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

温度系数 ±30 ppm/℃ ±50 ppm/℃ ±34 ppm/℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 -