NSVMUN2212T1G、UNR5212G0L、PDTC124EK,115对比区别

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型号 NSVMUN2212T1G UNR5212G0L PDTC124EK,115

描述 数字晶体管（ BRT ） R1 = 22千欧， R2 = 22 K· Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 22 kSMini3-G1 NPN 50V 100mA双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Panasonic (松下) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-59-3 SC-85 SOT-23-3

引脚数 3 - -

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 60 @5mA, 10V 60 @5mA, 10V 60 @5mA, 5V

额定功率(Max) 230 mW 150 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

无卤素状态 Halogen Free - -

耗散功率 0.338 W - -

耗散功率(Max) 338 mW - -

长度 - - 3.1 mm

宽度 - - 1.7 mm

高度 - - 1.2 mm

封装 SC-59-3 SC-85 SOT-23-3

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -