UNR5212G0L
数据手册.pdfPanasonic(松下)
分立器件
UNR5212G0L中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V
额定功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-85
外形尺寸
封装 SC-85
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
UNR5212G0L引脚图与封装图
暂无图片
在线购买UNR5212G0L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| UNR5212G0L | Panasonic 松下 | SMini3-G1 NPN 50V 100mA | 搜索库存 |
替代型号UNR5212G0L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： UNR5212G0L 品牌： Panasonic 松下 封装： SMini3-G1 NPN | 当前型号 | SMini3-G1 NPN 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： SMUN2212T1G 品牌： 安森美 封装： SC-59 NPN 338mW | 功能相似 | SC-59 NPN 50V 100mA | UNR5212G0L和SMUN2212T1G的区别 |
| 型号： NSVMUN2212T1G 品牌： 安森美 封装： SC-59-3 NPN 338mW | 功能相似 | 数字晶体管（ BRT ） R1 = 22千欧， R2 = 22 K· Digital Transistors BRT R1 = 22 k, R2 = 22 k | UNR5212G0L和NSVMUN2212T1G的区别 |