锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

AUIR08152S、AUIR08152STR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIR08152S AUIR08152STR

描述 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,单通道,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器

基础参数对比

封装 SOIC-8 SOIC-8

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 8

上升/下降时间 50 ns 50 ns

输出电流 10 A 10 A

耗散功率 1 W -

上升时间 50 ns 150 ns

下降时间 50 ns 150 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压(DC) - 13.0V (min)

输出接口数 - 2

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 20 Ω

电源电压 - 13V ~ 25V

电源电压(Max) - 25 V

电源电压(Min) - 13 V

封装 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.5 mm

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99