AUIR08152S
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
电子元器件分类
上升/下降时间 50 ns
输出电流 10 A
耗散功率 1 W
上升时间 50 ns
下降时间 50 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
制造应用 Embedded Charger, Motor Inverter, HVAC Compressor
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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AUIR08152S | Infineon 英飞凌 | P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: AUIR08152S 品牌: Infineon 英飞凌 封装: | 当前型号 | P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | 当前型号 | |
型号: AUIR08152STR 品牌: 英飞凌 封装: REEL 13V 8Pin | 类似代替 | MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,单通道,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier | AUIR08152S和AUIR08152STR的区别 |