2STR2230、MMBT3906LT3G、MMBTA92LT3G对比区别

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型号 2STR2230 MMBT3906LT3G MMBTA92LT3G

描述 STMICROELECTRONICS  2STR2230  单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 500 mW, -1.5 A, 560 hFENPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管高压晶体管PNP硅 High Voltage Transistors PNP Silicon

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 250 MHz 50 MHz

额定电压(DC) -30.0 V -40.0 V -300 V

额定电流 -1.50 A -200 mA -500 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 500 mW 225 mW 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 40 V 300 V

集电极最大允许电流 1.5A 0.2A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 70 100 @10mA, 1V 25 @30mA, 10V

额定功率(Max) 500 mW 225 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 560 100 40

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 225 mW 300 mW

针脚数 3 3 -

增益频宽积 100 MHz - -

最大电流放大倍数(hFE) 560 - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.9 mm 3.04 mm -

宽度 1.3 mm 1.4 mm -

高度 0.95 mm 1.01 mm -

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99