MMBT3906LT3G

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欧时:
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得捷:
TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3

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贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 200mA 40V PNP

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ON SEMICONDUCTOR  MMBT3906LT3G.  双极性晶体管, PNP -40V SOT-23

艾睿:
The PNP MMBT3906LT3G general purpose bipolar junction transistor, developed by ON Semiconductor, is the perfect solution for your high-current density needs. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

Allied Electronics:
Transistor PNP 40V 200mA SOT-23

安富利:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans GP BJT PNP 40V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Verical:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBT3906LT3G  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 40 V, 250 MHz, 225 mW, -200 mA, 100 hFE

DeviceMart:
TRANS PNP GP 40V 200MA SOT-23