ULN2003ADR2G、ULQ2003ADR2G、ULN2003AD对比区别

高亮显示差异参数

型号 ULN2003ADR2G ULQ2003ADR2G ULN2003AD

描述 ON SEMICONDUCTOR  ULN2003ADR2G.  达林顿晶体管 阵列, NPN, X7, 50V, 16-SOICNPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管TEXAS INSTRUMENTS  ULN2003AD  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

输出接口数 7 7 7

针脚数 16 16 16

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @350mA, 2V 1000 -

输出电流(Max) 500 mA 500 mA 500 mA

直流电流增益(hFE) 1000 1000 600

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -20 ℃ -40 ℃ -20 ℃

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 500 mA

输出电流 500 mA - 500 mA

耗散功率 - - 25 W

驱动器/包 - - 7

输出电压 50 V - -

通道数 7 - -

最大电流放大倍数(hFE) 1000 - -

输入电压 30 V - -

长度 - 10 mm 9.9 mm

宽度 4 mm 4 mm 3.91 mm

高度 - 1.75 mm 1.58 mm

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

工作温度 -20℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -20℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99