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MMDF2N02ER2G、NTMD4N03R2G、NTMD6N02R2G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMDF2N02ER2G NTMD4N03R2G NTMD6N02R2G

描述 2A,25V,SO-8,N沟道功率双MOSFETN 通道 MOSFET,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorN 通道 MOSFET,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 25.0 V 30.0 V 20.0 V

额定电流 2.00 A 4.00 A 6.00 A

通道数 2 - 2

漏源极电阻 100 mΩ 0.048 Ω 0.035 Ω

极性 Dual N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2 W 2 W 2 W

漏源极电压(Vds) 25 V 30 V 20 V

漏源击穿电压 25 V 30.0 V 20 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.60 A 4.00 A, 4.00 mA 6.50 A

输入电容(Ciss) 532pF @16V(Vds) 400pF @20V(Vds) 1100pF @16V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 730 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W 2 W 2 W

针脚数 - 8 -

阈值电压 - 1.9 V 900 mV

上升时间 - 14 ns 50.0 ns

下降时间 - 10 ns -

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99