MMDF2N02ER2G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 2.00 A
通道数 2
漏源极电阻 100 mΩ
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.60 A
输入电容Ciss 532pF @16VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMDF2N02ER2G引脚图与封装图
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在线购买MMDF2N02ER2G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMDF2N02ER2G | ON Semiconductor 安森美 | 2A,25V,SO-8,N沟道功率双MOSFET | 搜索库存 |
替代型号MMDF2N02ER2G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMDF2N02ER2G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOIC Dual N-Channel 25V 3.6A 100mohms | 当前型号 | 2A,25V,SO-8,N沟道功率双MOSFET | 当前型号 |
| 型号： NTMD4N03R2G 品牌： 安森美 封装： SOIC N-Channel 30V 4A 48mohms | 类似代替 | N 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | MMDF2N02ER2G和NTMD4N03R2G的区别 |
| 型号： NTMD6N02R2G 品牌： 安森美 封装： SOIC N-Channel 20V 6.5A 35mohms | 类似代替 | N 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | MMDF2N02ER2G和NTMD6N02R2G的区别 |
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