BAS85T/R、BAS85,135、BAS85-GS18对比区别
型号 BAS85T/R BAS85,135 BAS85-GS18
描述 Schottky barrier diode - Cd max.: 10@VR=1V pF; Configuration: single ; IF max: 200mA; IFSM max: 300A; IR max: 2.3@VR=25VA; VFmax: 400DIODE SCHOTTKY 30V 200mA SOD80C小信号肖特基二极管 Small Signal Schottky Diode
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)
分类 肖特基二极管TVS二极管肖特基二极管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 2 2
封装 - Mini-MELF Mini-MELF
额定电流 200 mA - 200 mA
电容 10.0 pF - 10.0 pF
正向电压 - 800mV @100mA 800mV @100mA
反向恢复时间 - - 5 ns
正向电流 - 200 mA 100 mA
最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 600 mA
正向电压(Max) - 800mV @100mA 800 mV
工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃
工作结温 - 125℃ (Max) 125℃ (Max)
热阻 - 320℃/W (RθJA) -
正向电流(Max) - 0.2 A -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
额定电压(DC) 30.0 V - -
输出电流 ≤200 mA - -
极性 Standard - -
封装 - Mini-MELF Mini-MELF
工作温度 - -65℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
ECCN代码 - - EAR99