BAS85T/R
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BAS85T/R中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 200 mA
电容 10.0 pF
输出电流 ≤200 mA
极性 Standard
封装参数
安装方式 Surface Mount
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BAS85T/R引脚图与封装图
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在线购买BAS85T/R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BAS85T/R | NXP 恩智浦 | Schottky barrier diode - Cd max.: 10@VR=1V pF; Configuration: single ; IF max: 200mA; IFSM max: 300A; IR max: 2.3@VR=25VA; VFmax: 400 | 搜索库存 |
替代型号BAS85T/R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BAS85T/R 品牌： NXP 恩智浦 封装： 30V 200mA | 当前型号 | Schottky barrier diode - Cd max.: 10@VR=1V pF; Configuration: single ; IF max: 200mA; IFSM max: 300A; IR max: 2.3@VR=25VA; VFmax: 400 | 当前型号 |
| 型号： BAS85,135 品牌： 恩智浦 封装： Mini-MELF | 完全替代 | DIODE SCHOTTKY 30V 200mA SOD80C | BAS85T/R和BAS85,135的区别 |
| 型号： BAS85,115 品牌： 安世 封装： | 类似代替 | Nexperia 二极管 BAS85,115 肖特基, Io=200mA, Vrev=30V, 2引脚 LLDS封装 | BAS85T/R和BAS85,115的区别 |
| 型号： BAS85-GS18 品牌： 威世 封装： DO-213AC 200mA | 类似代替 | 小信号肖特基二极管 Small Signal Schottky Diode | BAS85T/R和BAS85-GS18的区别 |