BAS85-GS18中文资料参数规格
技术参数
额定电流 200 mA
电容 10.0 pF
正向电压 800mV @100mA
反向恢复时间 5 ns
正向电流 100 mA
最大正向浪涌电流（Ifsm） 600 mA
正向电压Max 800 mV
工作温度Max 125 ℃
工作结温 125℃ Max
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 Mini-MELF
外形尺寸
封装 Mini-MELF
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
BAS85-GS18引脚图与封装图
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在线购买BAS85-GS18
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BAS85-GS18 | Vishay Semiconductor 威世 | 小信号肖特基二极管 Small Signal Schottky Diode | 搜索库存 |
替代型号BAS85-GS18
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BAS85-GS18 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-213AC 200mA | 当前型号 | 小信号肖特基二极管 Small Signal Schottky Diode | 当前型号 |
| 型号： BAS85T/R 品牌： 恩智浦 封装： 30V 200mA | 类似代替 | Schottky barrier diode - Cd max.: 10@VR=1V pF; Configuration: single ; IF max: 200mA; IFSM max: 300A; IR max: 2.3@VR=25VA; VFmax: 400 | BAS85-GS18和BAS85T/R的区别 |
| 型号： BAT54HT1G 品牌： 安森美 封装： SOD-323 30V 200mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BAT54HT1G 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C | BAS85-GS18和BAT54HT1G的区别 |
| 型号： BAT54XV2T1G 品牌： 安森美 封装： SOD-523 30V 200mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BAT54XV2T1G 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C | BAS85-GS18和BAT54XV2T1G的区别 |