STS2DNF30L、STS5DNF20V、STS6DNF30L对比区别

高亮显示差异参数

型号 STS2DNF30L STS5DNF20V STS6DNF30L

描述 STMICROELECTRONICS  STS2DNF30L  功率场效应管, MOSFETSTMICROELECTRONICS  STS5DNF20V  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 2.7 V双N - 通道30V - 0.022ohm - 6A SO- 8的STripFET功率MOSFET DUAL N - CHANNEL 30V - 0.022ohm - 6A SO-8 STripFET POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOP

极性 Dual N-Channel Dual N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 5.00 A 6A

上升时间 20 ns 33 ns 30 ns

输入电容(Ciss) 121pF @25V(Vds) 460pF @25V(Vds) 1250pF @25V(Vds)

下降时间 8 ns 10 ns 18 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2 W 2000 mW

额定电压(DC) 30.0 V 20.0 V -

额定电流 3.00 A 5.00 A -

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.09 Ω 30 mΩ -

耗散功率 1.6 W 2 W -

阈值电压 1.7 V 2.7 V -

漏源击穿电压 30.0 V 20.0 V -

栅源击穿电压 ±18.0 V ±12.0 V -

额定功率(Max) 2 W 2 W -

额定功率 - 1.6 W -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOP

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.65 mm 1.65 mm -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -