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STS2DNF30L

STS2DNF30L

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STMICROELECTRONICS  STS2DNF30L  功率场效应管, MOSFET

The is a dual N-channel STripFET™ Power MOSFET for switching applications. This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique "single feature size" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

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Standard outline for easy automated surface-mount assembly
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Low threshold gate drive
STS2DNF30L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 3.00 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.09 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 1.6 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±18.0 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 121pF @25VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Industrial, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STS2DNF30L引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STS2DNF30L ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STS2DNF30L  功率场效应管, MOSFET 搜索库存
替代型号STS2DNF30L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STS2DNF30L

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： SOIC Dual N-Channel 30V 3A 90mohms

当前型号

STMICROELECTRONICS  STS2DNF30L  功率场效应管, MOSFET

当前型号

型号： STS6DNF30L

品牌： 意法半导体

封装：

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