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STS5DNF20V

STS5DNF20V

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STMICROELECTRONICS  STS5DNF20V  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 2.7 V

The is a dual N-channel STripFET™ II Power MOSFET for switching applications. This Power MOSFET has been developed using STMicroelectronics" unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-to-DC converters for telecom and computer applications and applications with low gate charge driving requirements.

.
Standard outline for easy automated surface-mount assembly
.
Ultra low threshold gate drive
STS5DNF20V中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 5.00 A

额定功率 1.6 W

针脚数 8

漏源极电阻 30 mΩ

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 2.7 V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 460pF @25VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STS5DNF20V引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STS5DNF20V ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STS5DNF20V  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 2.7 V 搜索库存
替代型号STS5DNF20V
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STS5DNF20V

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： SOIC Dual N-Channel 20V 5A 30mohms

当前型号

STMICROELECTRONICS  STS5DNF20V  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 2.7 V

当前型号

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