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BC858CLT1G、BC858CLT3G、BC859CLT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC858CLT1G BC858CLT3G BC859CLT1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC858CLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -30 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE小信号 PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 300mW 0.3 W -

击穿电压(集电极-发射极) 30.0 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) - 225 mW 300 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 300 mW

频率 - 100 MHz -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 0.94 mm -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)