BC858CLT3G中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC858CLT3G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BC858CLT3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC858CLT3G | ON Semiconductor 安森美 | 小信号 PNP 晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 搜索库存 |
替代型号BC858CLT3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC858CLT3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 PNP -30V -100mA 300mW | 当前型号 | 小信号 PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 当前型号 |
| 型号： BC858CLT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -30V -100mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BC858CLT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -30 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE | BC858CLT3G和BC858CLT1G的区别 |
| 型号： NSVBC858CLT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 PNP 300mW | 类似代替 | PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | BC858CLT3G和NSVBC858CLT1G的区别 |
| 型号： BC858CLT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23/SC-59 PNP -30V -100mA | 类似代替 | 通用晶体管（ PNP硅） General Purpose TransistorsPNP Silicon | BC858CLT3G和BC858CLT1的区别 |