DTA114TE、DTA114TET1对比区别

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型号 DTA114TE DTA114TET1

描述 数字晶体管（ BRT ） R1 = 10千欧， R2 = ？ K + Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = k偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管

安装方式 - Surface Mount

封装 SOT-416 SC-75-3

额定电压(DC) - -50.0 V

额定电流 - -100 mA

耗散功率 - 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V

最小电流放大倍数(hFE) - 160 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - 160

额定功率(Max) - 200 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

长度 - 1.6 mm

宽度 - 0.8 mm

高度 - 0.75 mm

封装 SOT-416 SC-75-3

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead