DTA114TET1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 160
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-75-3
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.75 mm
封装 SC-75-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
DTA114TET1引脚图与封装图
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在线购买DTA114TET1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTA114TET1 | ON Semiconductor 安森美 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | 搜索库存 |
替代型号DTA114TET1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTA114TET1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-416 -50V -100mA | 当前型号 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | 当前型号 |
| 型号： DTA114TET1G 品牌： 安森美 封装： SC-75 PNP -50V -100mA 300mW | 类似代替 | ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | DTA114TET1和DTA114TET1G的区别 |
| 型号： PDTA114TS,126 品牌： 恩智浦 封装： TO-226-3 PNP | 功能相似 | SPT PNP 50V 100mA | DTA114TET1和PDTA114TS,126的区别 |
| 型号： DTA114TE 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | 数字晶体管（ BRT ） R1 = 10千欧， R2 = ？ K + Digital Transistors BRT R1 = 10 k, R2 = k | DTA114TET1和DTA114TE的区别 |