锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

2N4923G、BD13910S、NTE184对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N4923G BD13910S NTE184

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N4923G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 3 hFEBD139 系列 80 V 1.5 A NPN 外延硅晶体管 - TO-126NTE ELECTRONICS  NTE184  双极性功率晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126

频率 3 MHz - 2 MHz

针脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 30 W 1.25 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80.0 V

集电极最大允许电流 1A 1.5A 4A

直流电流增益(hFE) 3 - 80

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 30000 mW 1.25 W 40000 mW

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V -

额定电流 1.00 A 1.50 A -

最小电流放大倍数(hFE) 30 @500mA, 1V 63 @150mA, 2V -

最大电流放大倍数(hFE) 150 160 -

额定功率(Max) 30 W 1.25 W -

无卤素状态 Halogen Free - -

热阻 4.16℃/W (RθJC) - -

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126

长度 7.74 mm 8 mm -

宽度 2.66 mm 3.25 mm -

高度 11.04 mm 1.5 mm -

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Design

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2016/06/20 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 - - 85412900951