BD13910S
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
BD13910S中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.50 A
极性 NPN
耗散功率 1.25 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 160
额定功率Max 1.25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1.25 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-126-3
外形尺寸
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 1.5 mm
封装 TO-126-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BD13910S引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BD13910S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BD13910S 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-126 NPN 80V 1.5A 1.25W | 当前型号 | BD139 系列 80 V 1.5 A NPN 外延硅晶体管 - TO-126 | 当前型号 |
| 型号： BD139 品牌： 意法半导体 封装： TO-225AA NPN 80V 1.5A 1250mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS BD139 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 250 hFE | BD13910S和BD139的区别 |
| 型号： BD139G 品牌： 安森美 封装： TO-225AA NPN 80V 1.5A 1250mW | 功能相似 | PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | BD13910S和BD139G的区别 |
| 型号： 2N4923G 品牌： 安森美 封装： TO-225-3 NPN 80V 1A 30000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N4923G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 3 hFE | BD13910S和2N4923G的区别 |