FDD8782、STD40NF03LT4对比区别
描述 N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFETSTMICROELECTRONICS STD40NF03LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 25.0 V 30.0 V
额定电流 35.0 A 40.0 A
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 8.50 mΩ 0.009 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 50 W 80 W
阈值电压 - 1 V
漏源极电压(Vds) 25 V 30 V
漏源击穿电压 25.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 35.0 A 20.0 A
上升时间 9 ns 165 ns
输入电容(Ciss) 1220pF @13V(Vds) 1440pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 50 W 80 W
下降时间 14 ns 25 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 50W (Tc) 80W (Tc)
输入电容 1.22 nF -
栅电荷 25.0 nC -
宽度 - 6.2 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
高度 2.39 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 -