FDD8782
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD8782中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 35.0 A
漏源极电阻 8.50 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
输入电容 1.22 nF
栅电荷 25.0 nC
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 1220pF @13VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDD8782引脚图与封装图
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在线购买FDD8782
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD8782 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDD8782
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD8782 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 25V 35A 8.5mohms 1.22nF | 当前型号 | N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STD40NF03LT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 30V 20A 9mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD40NF03LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1 V | FDD8782和STD40NF03LT4的区别 |