KSH31TF、MJD31T4G、NJVMJD31T4G对比区别

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型号 KSH31TF MJD31T4G NJVMJD31T4G

描述 Trans GP BJT NPN 40V 3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RNPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 - 3 MHz 3 MHz

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V -

额定电流 3.00 A 3.00 A -

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN, PNP NPN

耗散功率 - 15 W 1.56 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 3A 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V

额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 1.56 W

直流电流增益(hFE) - 10 -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1.56 W 1560 mW 1560 mW

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -