MJD31T4G中文资料参数规格
技术参数
频率 3 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 3.00 A
针脚数 3
极性 NPN, PNP
耗散功率 15 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V
额定功率Max 1.56 W
直流电流增益hFE 10
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1560 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJD31T4G引脚图与封装图 
MJD31T4G引脚图
MJD31T4G封装焊盘图
在线购买MJD31T4G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJD31T4G | ON Semiconductor 安森美 | NPN 功率晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 搜索库存 |
替代型号MJD31T4G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJD31T4G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DPAK NPN 40V 3A 1560mW | 当前型号 | NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 当前型号 |
| 型号： MJD2955T4G 品牌： 安森美 封装： TO-252 N-Channel -60V -10A 1750mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJD2955T4G Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -60 V, 2 MHz, 1.75 W, -10 A, 5 hFE 新 | MJD31T4G和MJD2955T4G的区别 |
| 型号： MJD2955G 品牌： 安森美 封装： TO-252 PNP -60V -10A 1750mW | 类似代替 | MJD 系列 60 V 10 A PNP 互补 功率晶体管 - TO-252-3 | MJD31T4G和MJD2955G的区别 |
| 型号： NJVMJD31T4G 品牌： 安森美 封装： DPAK NPN 1560mW | 类似代替 | 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors | MJD31T4G和NJVMJD31T4G的区别 |